Все новости от 6 декабря 2001 г.

Транзистор и пустота

Опровергая правило о том, что бесплатных обедов не бывает, компания объявила, что ей удалось повысить быстродействие транзистора при помощи пустого пространства. Технология с сюрреалистическим названием «кремний на пустоте» (silicon-on-nothing, SON) поможет логическим элементам шевелиться быстрее при меньшей прожорливости только потому, что детали транзистора отделены от подложки чипа зазором.

Эта идея аналогична популярной технологии «кремний на изоляторе» (silicon-on-insulator, SOI), разработанной еще в 70-е годы и широко используемой большинством производителей. В ней тонкий слой изолятора предотвращает утечку электрического заряда, что положительно влияет на производительность транзистора. В SON та же идея реализуется другим методом: вместо особого слоя, нанесенного на кремний, в нем делается выемка, так что в качестве изолятора служит воздух, который удерживает 75% заряда — вместо 45% при технологии SOI.

Toshiba анонсировала SON на проходившей на этой неделе в Вашингтоне международной конференции International Electron Devices meeting (IEDM). Ёситака Цунасима (Yoshitaka Tsunashima), менеджер отдела инжиниринга, ответственный за данную разработку, сообщил отраслевому журналу EE Times, что эта техника гораздо гибче, чем SOI. «Она не накладывает никаких ограничений на разводку», — сказал он. «В отличие от SOI, SON можно размещать на подложке в любом месте. Это означает, что мы получаем преимущества SOI, сохраняя при этом свою встроенную DRAM», — пояснил он. По словам Цунасимы, промышленное использование SON планируется начать к 2005 году, когда компания перейдет на использование архитектуры с геометрической нормой 0,05 мкм.

Тем временем участники IEDM проявили к SOI гораздо больший интерес, чем раньше. Intel, прежде скептически относившаяся к этой технологии, выступила с проектом ее использования, IBM продемонстрировала значительные достижения в этой области, а Motorola представила процессор, сочетающий SOI с медными проводниками. На прежних конференциях IEDM основное внимание уделялось проблемам миниатюризации: главенствующую роль играли размеры и форма, а не совершенствование технологии транзистора. 

 Предыдущие публикации:

 В продолжение темы:

Обсуждение и комментарии

	Bravo 6 Dec 2001 5:53 PM
ошибка - СОИ придумали в 90х годах а не в 70х. плиз поправьте.
	gs - ivtrinity.msk.ru 6 Dec 2001 8:27 PM
СОИ придумали действительно давно. Просто использовалась технология для спецприменений, типа радиационно стойких микрух. И называлась по советски КНС (кремний на сапфире).
	domowoy - domowoymail.ru 10 Dec 2001 10:22 AM
Кремний на диэлектрике придумали в стародавние времена. Я выпекал микросхемы в конце 80х и по этой технологии тоже. В учебниках начала 80х эта технология уже была описана, а придумана в 70е или даже раньше.