|
 Все новости от 26 февраля 2002 г.
Rambus усовершенствовала элементы RDRAM
На этой неделе на конференции Intel Developer Forum в Сан-Франциско компания Rambus представит более быстродействующие версии технологии DRAM.
Новая разновидность элементов RDRAM называется RIMM4200 и представляет собой усовершенствованный вариант Rambus RIMM (Rambus inline memory module). Эти элементы содержат второй канал памяти и новые, более быстродействующие чипы памяти.
У RIMM4200 два канала передачи данных с пропускной способностью по 2,1 Гбайт/с каждый. Современные элементы Rambus RIMM 1600 используют всего один канал с пропускной способностью 1,6 Гбайт/с — правда, во многих ПК реализована двухканальная конфигурация, в которой пары модулей передают данные со скоростью до 3,2 Гбайт/с.
Кроме того, модуль RIMM4200 использует новые, более быстродействующие чипы RDRAM с тактовой частотой 1066 МГц. Тактовая частота современных чипов RDRAM 800 МГц. Модуль RIMM состоит из нескольких микросхем на одной печатной плате.
Rambus предпринимает этот шаг в критический для RDRAM момент. Несмотря на утверждения производителей ПК и Intel, будто RDRAM по-прежнему обеспечивает более высокую производительность, усилия компании Advanced Micro Devices и новый чипсет Intel 845 для Pentium 4 способствовали популяризации альтернативной технологии Double Data Rate SDRAM, более быстродействующей версии стандартной памяти Synchronous Dynamic RAM. Теперь ее используют все производители ПК, за исключением нескольких, которые преподносят эту технологию как промежуточную между RDRAM и SDRAM. В результате Rambus приходится убеждать покупателей в преимуществах перехода на RDRAM вместо DDR SDRAM.
Модули Rambus 4200 поступят в продажу во втором квартале и, по сообщениям источников, станут частью грядущего апгрейда аппаратуры ПК с выпуском более мощных процессоров Pentium 4, которые Intel планирует предложить в начале лета.
Ожидается, что Intel введет в новую архитектуру ПК эти модули Rambus и ускорит внешнюю шину Pentium 4 с 400 до 533 МГц.
RIMM4200 будут выпускать Samsung и другие производители элементов памяти. Samsung проведет на Intel Developer Forum собственную презентацию новой технологии.
Модули 4200 — часть плана, анонсированного Rambus в прошлом году и призванного ускорить RDRAM к 2005 году с современных 1,6 Гбайт/с при тактовой частоте 800 МГц до 9,6 Гбайт/с при тактовой частоте 1200 МГц.
DDR SDRAM обеспечивает быстродействие до 333 МГц и скорость передачи данных до 2,7 Гбайт/с. Большинство производителей ПК используют версии 200 и 266 МГц при скорости передачи данных соответственно 1,6 и 2,1 Гбайт/с.
 Предыдущие публикации:
В продолжение темы:
|
