Все новости от 27 февраля 2002 г.

210-ГГц транзисторы IBM подстегнут сети

Отделение IBM Semiconductor Division объединило множество своих так называемых 210-ГГц транзисторов в действующие микросхемы, способные работать с тактовой частотой 110 ГГц и выше, — это важная веха на пути к их коммерческому использованию. В то же время новые транзисторы обещают повысить энергетическую экономичность систем, построенных на их основе. Они потребляют всего 1 мА электрического тока, то есть примерно вдвое меньше по сравнению с современной технологией, а работают при этом на 80% быстрее. Успешная реализация микросхем 110 ГГц подтверждает, что эти транзисторы можно применять в микрочипах.

IBM утверждает, что такие чипы начнут появляться в мощном сетевом оборудовании в будущем году. Они помогут ускорить работу вычислительных сетей, так как способны передавать сигналы втрое быстрее, чем самые передовые современные сети OC768.

Изгибы и повороты кремниевого прогресса
Этот анонс — очередной удар в ходе все более накаляющейся битвы между IBM и Intel за лидерство в области полупроводниковых исследований. Оба производителя ведут новые разработки в бешеном темпе. Так, IBM недавно представила документацию по транзисторам с двойным затвором, который позволит понизить энергоемкость микросхем. Сегодня это одно из главных направлений исследований. Кроме того, IBM приступила к коммерческому выпуску чипа Power 4 — первого кристалла с двумя полноценными микропроцессорными ядрами — и активно продвигает на рынок технологию «кремний на изоляторе» (SOI), составляющую дополнительный технологический уровень, который позволяет ускорить работу процессоров, уменьшив количество выделяемого ими тепла.

«Индустрия находится на одном из крутых поворотов. Если их не использовать (новые технологии управления потребляемой энергией), можно остаться в хвосте», — сказал в декабре вице-президент IBM Microelectronics по полупроводниковым разработкам Биджан Давари (Bijan Davari).

Тем временем лаборатория Intel демонстрирует собственные достижения. Недавно компания представила транзистор Terahertz новой конструкции, которая повышает производительность, но при этом держит в узде потребляемую энергию. Вместе с тем Intel продемонстрировала собственную технологию SOI и усовершенствовала конструкции микросхем и их корпусов, что позволит еще выше поднять планку быстродействия микрочипов. Одновременно с этим компания ведет разработки в области технологии производства флэш-подобной памяти с использованием тех же материалов, из которых производятся диски CD-ROM.

В последние три года Intel целенаправленно стремится стать доминирующей фигурой на рынках телекоммуникационных и сетевых технологий — в сфере, где традиционно сильны позиции IBM. IBM видит себя производителем сложных международных компьютерных систем — а эта задача требует высокой концентрации усилий на исследованиях и разработках. Intel не любит, когда соперничество двух компаний называют гонками микропроцессоров, несмотря на то что они часто сталкиваются на одних и тех же отраслевых конференциях, выступая с докладами по одной и той же технологии. «У нас свой путь... и у них (IBM), как нам кажется, тоже», — сказала представитель Intel Мэнни Вара (Manny Vara).

Быстрее и холоднее
По словам сотрудника IBM Берни Мейерсона (Bernie Meyerson), запаса быстродействия новой конструкции транзистора/микросхемы IBM достаточно, чтобы обеспечить управление передачей данных для нескольких поколений будущих сетевых стандартов. «Это устройство, которое, вероятно, позволит нам приблизиться к скоростям передачи данных в 100 Гбит/с, — сказал он. — И такое быстродействие оно сможет обеспечить при очень малой величине потребляемой энергии».

Действительно, когда эти чипы работают с тактовой частотой 40 ГГц в сетях с пропускной способностью 40 Гбит/с, они, по словам Мейерсона, потребляют в 300-500 раз меньше энергии, чем современное поколение сетевых микросхем IBM. Заняв их место в будущем сетевом оборудовании, новые чипы позволят преобразовывать множество электрических сигналов в один оптический и обратно. Мейерсон сравнивает этот процесс с пересадкой 16 человек, подъехавших к автовокзалу на собственных автомобилях, на автобус, который перевозит их в другой город, после чего они снова продолжают путь в 16 разных направлениях.

Сплав кремния и германия
Новые чипы IBM будет производить с использованием кремний-германиевой (SiGE) технологии, когда атомы германия встраиваются в определенные места кристаллической решетки кремния. Компания начала работать с SiGE в 1989 году, а в 1998 году объявила о своем намерении выпустить микросхемы на основе этой технологии. Последнюю версию производственного процесса на базе SiGE IBM называет 8HP.

Однако технология SiGE будет применяться главным образом для телекоммуникационных микросхем. IBM считает нецелесообразным использовать такие чипы для персональных компьютеров, хотя и ведет исследования в области применения технологического процесса SiGE в производстве отдельных элементов для серверов, называя этот процесс гибридным деформированным кремнием (hybrid strained silicon).

Несколько заказчиков IBM Semiconductor Division, таких как производитель сетевого оборудования Sierra Monolithics, готовятся анонсировать продукты на базе новых сетевых микросхем Big Blue. 

 Предыдущие публикации:

 В продолжение темы: