На главную страницу AlgoNet В сотрудничестве с ZDNet
АРХИВ СТАТЕЙ 2002-11-12 на главную / новости от 2002-11-12
AlgoNet.ru
поиск

 

Место для Вашей рекламы!

 

Все новости от 12 ноября 2002 г.

IBM строит 3D-микросхемы новой конструкции

Исследователи IBM Research предложили новую конструкцию трехмерных микросхем, в которых транзисторы расположены в два или более слоев, а производственный процесс напоминает выпечку многослойного пирога.

«Второй и последующие слои наносятся поверх уже готовых, — говорит руководитель проекта Кэтрин Гуарини (Kathryn Guarini). — В результате вместо одного слоя транзисторов мы получаем два-три или даже больше». Со временем новая конструкция может привести к появлению более мощных микропроцессоров с гораздо большим числом транзисторов по сравнению с современными однослойными. Кроме того, сокращается длина проводников, соединяющих транзисторы в микросхеме. И третье преимущество новой конструкции — возможность смешивать микросхемы разного типа внутри одного корпуса. Например, IBM надеется создать новые сетевые чипы, добавив слой управления оптическими цепями.

Однако новая конструкция, при всем своем огромном потенциале, находится на самых ранних стадиях разработки. Компании еще только предстоит сделать следующий шаг по соединению отдельных слоев между собой, и вопрос о том, когда эта технология сможет выйти на рынок, пока даже не обсуждается. В процессе разработки придется решить серьезные проблемы, такие как подача большого количества энергии в многослойную микросхему. «Возможно, из-за ограничения по потребляемой энергии на верхних слоях можно будет размещать не всякую схему», — говорит Гуарини.

Intel и некоторые другие компании тоже анонсировали трехмерные конструкции. Экспериментальный транзистор Intel Tri-Gate содержит три затвора, расположенных один над другим. А Matrix Semiconductor разработала многослойную микросхему памяти, концепция которой схожа с концепцией IBM.

IBM расскажет о новой конструкции микросхем на международной конференции по схемотехническому проектированию International Electron Devices Meeting, которая состоится в декабре в Сан-Франциско. 

 Предыдущие публикации:
2002-09-11   Многозатворные транзисторы: AMD ставит вопрос ребром
2002-09-17   Intel представит экспериментальные 3D-транзисторы
2002-11-04   Транзистор IBM работает на частоте 350 ГГц
 В продолжение темы:
2004-07-14   «Многоэтажные» чипы доросли до рынка
2004-11-08   3D-чипы памяти от Matrix нацелены на игровые устройства

 

← октябрь 2002 5  6  10  11  12  13  14  15  18 декабрь 2002 →
Реклама!
 

 

Место для Вашей рекламы!