|
 Все новости от 11 июля 2003 г.
Rambus обозначила срок выпуска новой памяти
В четверг компания Rambus, проектировщик микросхем, и ее партнеры объявили о том, что в будущем году на рынок выйдет их новый высокоскоростной элемент памяти.
Элементы, выполненные по технологии XDR DRAM (прежнее кодовое название Yellowstone), сначала будут работать с тактовой частотой 3,2 ГГц, а впоследствии их быстродействие повысится до 6,4 ГГц — это значительно выше, чем у современной памяти. По существу это означает, что память XDR DRAM, которую будут производить Toshiba и Elpida, в конечном итоге сможет передавать данные со скоростью 100 Гбайт/с.
В индустрии ПК XDR DRAM, по всей вероятности, встретит резкий отпор, но может найти применение в потребительской электронике и индустрии связи, где широко используются элементы памяти на основе конструкции Rambus.
Одним из первых важных объектов применения новой памяти, возможно, станет следующее поколение игровых приставок Sony PlayStation. Японский гигант объявил о своем намерении использовать в PlayStation 3 память XDR DRAM в сочетании с будущим процессором Cell (совместной разработкой IBM, Sony и Toshiba).
Toshiba и Elpida обещают начать поставки XDR DRAM в 2004 году, а массовое производство наладить в 2005 году.
Rambus (Лос-Атлос, штат Калифорния) занимается конструированием интерфейсов для микросхем. Компания разработала RDRAM, разновидность компьютерной памяти с высокоскоростным интерфейсом. Однако несмотря на мощную рекламную поддержку, технология RDRAM оказалась дорогостоящей и непопулярной. Хотя эта память и была самой быстродействующей на рынке, производители ПК и заказчики отдавали предпочтение технологии double data rate (DDR) DRAM.
Rambus пыталась также получить роялти от ряда хайтек-компаний, обвиняя их в незаконном использовании своих патентов.
 Предыдущие публикации:
|
