Все новости от 25 марта 2004 г.

Kingston берется за память DDR2

Компания Kingston Technology представила на выставке CeBIT новейшие модули памяти DDR2. Линейка продукции включает буферизованные Registered DIMM, не буферизованные Unbuffered DIMM и SO-DIMM-изделия емкостью до 1 Гб и частотой обмена с шиной 400 и 533 МГц.

Микросхемы DDR2 SDRAM, из которых скомпонованы модули, выполнены в FBGA-корпусах, обладающих, по словам производителя, улучшенными электрическими и тепловыми характеристиками. Применяемая технология внтурикристальной терминации (On-Die Termination, ODT) позволяет уменьшить тепловыделение и снизить количество помех при работе на высоких частотах. Максимальная плотность микросхем — 4 Гбит.

Основными преимуществами новой памяти являются повышенные пропускная способность, частота обмена с системной шиной (до 667 МГц), пониженное практически на 50% энергопотребление (1,8 В), при этом время задержки (CAS Latencies) может составлять 3, 4 или 5 тактов.

Андрей Удовицкий