На главную страницу AlgoNet В сотрудничестве с ZDNet
АРХИВ СТАТЕЙ 2004-8-27 на главную / новости от 2004-8-27
AlgoNet.ru
поиск
   Статьи по датам:
Июль 2004
ПнВтСрЧтПтСбВс
   1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031 
 
Август 2004
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031    
 
Май 2004
ПнВтСрЧтПтСбВс
     12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
31      
 
Июнь 2004
ПнВтСрЧтПтСбВс
 123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
282930    
 
Март 2004
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031    
 
Апрель 2004
ПнВтСрЧтПтСбВс
   1234
567891011
12131415161718
19202122232425
2627282930  
 
Январь 2004
ПнВтСрЧтПтСбВс
   1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031 
 
Февраль 2004
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
 
Ноябрь 2003
ПнВтСрЧтПтСбВс
     12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
 
Декабрь 2003
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031    
 
Сентябрь 2003
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
2930     
 
Октябрь 2003
ПнВтСрЧтПтСбВс
  12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
2728293031  
 

 

Место для Вашей рекламы!

 

Все новости от 27 августа 2004 г.

Технологический прорыв обещает горячие, прочные и быстрые чипы

Научное достижение ведет к созданию мощных процессоров, которым не требуется охлаждение, и устройств, способных работать в экстремальных условиях.

Как сообщил в четверг журнал Nature, группа ученых, возглавляемая Даисуке Накамурой из центральной лаборатории НИОКР Toyota в Айчи (Япония), описала способ создания пластин из карбида кремния (SiC) с очень низким уровнем дефектов — это важный шаг к массовому производству электронных устройств из данного материала. Ученые считают, что для доведения этого процесса до коммерческого применения может потребоваться до шести лет.

Новый процесс предусматривает получение слоев SiC из горячего газа, что позволяет выполнять кристаллизацию вещества на очень чистых поверхностях. Такие пластины несут в себе чрезвычайно мало дефектов — в два-три раза меньше, чем при изготовлении обычным способом.

«Этого добивались много лет, и это достижение будет иметь важное значение для общества», — сказал Nature Ник Райт, специалист по электронике из Университета Ньюкастла-на-Тайне. По его словам, появятся новые приложения, включая гораздо более эффективные средства управления бытовой техникой и двигатели, работающие при высоких температурах. Экспериментальные SiC-транзисторы, созданные в Японском национальном институте передовой индустриальной науки и технологии, продемонстрировали гораздо меньшие потери энергии, лучший КПД и более высокое предельное напряжение, чем их кремниевые антиподы.

Карбид кремния — или карборунд — имеет свойства полупроводника, но его применение в электронике ограничено ввиду чрезвычайной прочности этого материала. Точка плавления SiC находится на уровне 2700ºС — вдвое выше, чем у кремния, а по твердости он близок к алмазу, что делает его обработку почти невозможной. Единственным типом массовых электронных устройств на основе SiC до сих пор оставались светодиоды и лазерные диоды, но начинают появляться также обычные диоды и транзисторы.

По данным аналитической фирмы Yole Developpement, в прошлом году во всем мире было произведено около 250 тыс. пластин из карбида кремния. 

 Предыдущие публикации:
2004-07-05   Нагревательный микроэлемент мгновенно разогревается до тысячи градусов
 В продолжение темы:
2004-09-05   Alienware разгоняет Pentium 4 до 4 ГГц

 

← июль 2004 22  23  24  25  26  27  29  30  31 сентябрь 2004 →
Реклама!
 

 

Место для Вашей рекламы!

 

 

 


© 1997-2008
info@media.algo.ru | реклама у нас
Техническая поддержка - ADT Web Solutions