Все новости от 14 июля 2005 г.

Готовясь к переходу на 32 нм.

Нынешнее поколение инструментов для литографии работает с длиной волны 193 нм и позволяет создавать транзисторы с линейными размерами до 50 нм. Консорциум International Roadmap of Semiconductor Technology признал наиболее перспективной технологией следующего поколения EUV-литографию (EUV — Extreme Ultraviolet, сверхжесткий ультрафиолет), использующую электромагнитное излучение с длиной волны 13,5 нм.

Внедрению этой технологии препятствует ряд проблем, в частности создание высококачественных фотомасок. Корпорации Intel и Corning заключили соглашение о разработке стеклянных основ фотомасок со сверхнизким распространением тепла ULE (ultralow thermal expansion). Участники соглашения рассчитывают, что благодаря ей производство микросхем с использованием EUV-литографии будет начато уже в 2009 г. На первом этапе можно будет наладить массовое производство полупроводниковых схем с технологической нормой 32 нм.

А. Т.