|
 Все новости от 7 декабря 2005 г.
Intel создает более быстрые и более холодные транзисторы
На этой неделе Intel планирует представить прототип транзистора, который поможет закону Мура — и всей полупроводниковой индустрии — продержаться еще десятилетие.
Транзистор, разработанный Intel и британской компанией Qinetiq, по структуре аналогичен традиционным транзисторам: у него есть исток и сток, соединенные каналом, потоком электронов в котором управляет затвор.
Однако в отличие от традиционных транзисторов, канал выполнен не из кремния, а из антимонида индия, который состоит из атомов индия (In) и сурьмы (Sb). В химии два эти элемента называются элементами III-V из-за своего положения в Периодической таблице. Кремний (Si) находится в колонке IV. Близкие к нему индий и сурьма обладают похожими характеристиками, но ведут себя несколько иначе.
Intel утверждает, что замена кремния антимонидом индия приводит к снижению потребляемой энергии в десять раз при повышении быстродействия на 50%.
Не менее важно и то, что элементы III-V в принципе могут вписаться в существующие производственные процессы. Это сделает массовое изготовление таких транзисторов более дешевым и простым по сравнению с такими новыми технологиями, как углеродные нанотрубки и кремниевые нанопроводники.
Представитель Intel сообщил, что микросхемы на базе таких транзисторов могут появиться на рынке к 2015 году. Экспериментальные транзисторы выполнены на подложке из арсенида галлия, дорогостоящего материала, применяемого в некоторых коммуникационных чипах. Теперь компания пытается перенести свои транзисторы III-V на кремниевую подложку.
Intel уже говорила, что материалы III-V входят в число основных идей, направленных на сохранение действия закона Мура. Известная максима гласит, что число транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые два года. Это удвоение достигается главным образом за счет уменьшения размеров транзисторов и приводит к повышению производительности. Однако утечка тока и выделение тепла в миниатюрных транзисторах — две главные проблемы, которые не дают покоя производителям компьютеров и конструкторам микросхем. Они вынуждают ученых искать новые материалы и изобретать лучшую структуру транзисторов, чтобы уменьшить эти эффекты.
Intel и Qinetiq уже демонстрировали подобный транзистор III-V с длиной канала 200 нм. В документе, представленном на этой неделе, описан транзистор с длиной канала 85 нм. Сейчас чипы изготавливают по 90-нм технологии, при которой длина затвора составляет около 50 нм.
Описанный транзистор должен быть представлен в среду, на Международном совещании по электронным устройствам в Вашингтоне.
 Предыдущие публикации:
| 
