Все новости от 6 апреля 2006 г.

Intel строит два огромных 45-нанометровых завода

Intel активно осваивает новейшую 45-нанометровую производственную технологию. В настоящее время корпорация осуществляет строительство двух заводов по производству продукции на базе 300-мм подложек с использованием 45-нанометровой технологии следующего поколения: Fab 32 в Аризоне (США) и Fab 28 в Израиле. Предполагается, что первые микропроцессоры с их конвейеров сойдут где-то в середине 2007 г., а сами эти предприятия станут самыми совершенными производственными мощностями в мире по выпуску полупроводниковой продукции. Вот некоторые факты, демонстрирующие масштаб производимых работ:

• площадь стерильных помещений завода Fab 28 превысит 200 тыс. квадратных футов (свыше 18 тыс. м2), что соответствует размеру футбольного поля, а его стоимость составит 3,5 млрд. долл.;

• площадь стерильных помещений завода Fab 32 составит 184 тыс. квадратных футов (общая площадь вместе с “чистыми комнатами” — около 1 млн. квадратных футов, или почти 93 тыс. м2), а стоимость — 3 млрд. долл.;

• для строительства завода Fab 32 потребуется около 8,5 тыс. тонн строительной стали и около 73 тыс. м3 цемента;

• на заводе Fab 28 будет проложено около 11 тыс. километров кабеля — этого было бы вполне достаточно, чтобы соединить по прямой Fab 28 и завод D1D в Орегоне, несмотря на то, что первый находится в Израиле, а второй — в США;

• строительство Fab 32 продлится около 13—15 месяцев, при этом максимальное количество работников, занятых в проекте, составит 3,5 тыс. человек. Это означает, что с учетом всех сотрудников Intel, так или иначе относящихся к деятельности завода, общее количество людей, физически вовлеченных в строительство, составит около 7 тыс. человек.

Для сравнения: в 80-х годах прошлого века стандартный размер стерильных помещений заводов Intel составлял примерно 1800—2800 м². Так, на момент завершения строительства завода Fab 9 в Нью-Мексико в 1990 г. специалисты корпорации Intel даже представить себе не могли, что для реализации какого-либо будущего технологического процесса им потребуется создание стерильных помещений площадью свыше 24 тыс. квадратных футов (примерно 2230 м²). В итоге завод Fab 9 был спроектирован в виде четырех независимых стерильных помещений площадью 25 тысяч квадратных футов (2322,5 м²) каждое, которые на протяжении последующих 6 лет были трансформированы в единую “чистую комнату” площадью 100 тыс. квадратных футов (9290 м²). Тем не менее, в свое время стерильные помещения Fab 9 и так были самыми большими в мире.

В то же время непосредственно строительство объектов обычно является наименее дорогим этапом создания завода. Например, стоимость возведения зданий Fab 32 составит всего лишь около 1 млрд. долл. (втрое меньше, чем, скажем, стоимость нового профессионального стадиона, построенного для футбольного клуба Phoenix Cardinals в Аризоне). На создание же технологических установок планируется потратить свыше 2 млрд. долл.

Возможно, заводы Intel по изготовлению полупроводниковых компонентов и не производят такого ошеломляющего впечатления, как пирамиды в Гизе или собор Нотр-Дам в Париже, однако их в не меньшей степени можно отнести к одним из наиболее величественных сооружений нашего времени.

Утверждается, что производство на основе 300-мм подложек позволяет значительно увеличить выпуск компьютерных микросхем и снизить их себестоимость по сравнению с используемым до сих пор 200-мм стандартом пластин. По мнению специалистов Intel, подложка диаметром 300 мм обеспечивает 225%-ное увеличение площади кремниевой пластины и 240%-ное увеличение полезного выхода кристаллов (отдельных компьютерных микросхем) с каждой подложки. Использование подложек большего размера снижает себестоимость микросхемы при уменьшении общего потребления ресурсов (применение 300-мм подложек приводит к 40%-ному снижению потребления энергии и воды в пересчете на одну микросхему).

Строительство каждой подобной фабрики — значительное достижение для индустрии той страны, на территории которой оно осуществляется. Так, начало строительства Fab 28 сопровождалось торжественной церемонией, на которой присутствовали представители высшего руководства Intel и Израиля: старший вице-президент подразделения Technology and Manufacturing Group корпорации Intel Боб Бейкер (Bob Baker), главный директор завода Fab 28 Максин Фассберг (Maxine Fassberg), мэр города Кирьят-Гат, близ которого выбрана производственная площадка Fab 28, Авирам Дахари (Aviram Dahary), и. о. премьер-министра Израиля Эхуд Ольмерт (Ehud Olmert), а также руководитель израильского подразделения Intel Алекс Корнхаузер (Alex Kornhauser). Эхуд Ольмерт произвел закладку свитка-обращения в кувшин, который потом был замурован в первый камень в основании завода Fab 28.

“Долгие годы мы искали место для строительства нового завода, и я очень рад, что мы остановили свой выбор именно на этом объекте в городе Кирьят-Гат, — заявил Боб Бейкер. — Инвестиции в размере 3,5 млрд. долл. призваны отразить наши тесные взаимоотношения с Израилем и нашу уверенность в высокой квалификации персонала в этой стране. Новый завод упрочит ведущее положение нашей компании в области массового производства полупроводниковых компонентов, а также создаст около двух тысяч дополнительных рабочих мест”.

История взаимоотношений корпорации Intel с Израилем началась в 1974 г. Сейчас в этой стране расположены пять исследовательских и производственных центров Intel (в Хайфе, Якуме, Иерусалиме, Петах-Тикве и Йокнеаме) и три завода (два действующих — Fab 8 и Fab 18, а также один на стадии строительства — Fab 28). Штат израильского подразделения корпорации Intel составляет 6600 квалифицированных сотрудников и нескольких тысяч рабочих.

В. М.