Все новости от 26 июля 2007 г. Intel продемонстрировала оптические чипы с быстродействием 40 Гбит/с
Исследователи Intel еще на один шаг приблизились к созданию кремниевых микросхем, обменивающихся данными оптическим способом. Однако до коммерческих продуктов на базе этой технологии еще далеко.
В среду группа исследователей Intel представила кремниевый лазерный модулятор, способный преобразовывать электрические сигналы в оптические со скоростью до 40 Гбит/с. Такой модулятор в сочетании с 25 гибридными лазерами на одном кристалле позволит передавать терабиты данных в секунду, утверждает в своем блоге главный инженер технологического отделения Intel Аньшен Лю.
Оптические соединения между компонентами компьютеров предпочтительнее металлических проводников, потому что они не только позволяют передавать сигналы с большей скоростью на большие расстояния, но и не нагреваются из-за электрического сопротивления. Однако Лю ничего не пишет о том, когда можно ожидать появления коммерческих продуктов на базе кремниево-фотонной технологии Intel.
Intel давно работает над кремниевыми модуляторами для лазеров, надеясь уменьшить стоимость этих компонентов, изготавливая их по той же технологии, которая применяется для производства микросхем. О первом достижении в этой области компания объявила в 2004 году — это был 1-ГГц модулятор, работающий в 50 раз быстрее любого другого кремниевого модулятора. В следующем году Intel разработала модулятор, способный кодировать данные на скоростях до 10 Гбит/с.
По словам Лю, новый модулятор не уступает в быстродействии самым высокоскоростным компонентам этого типа, изготавливаемым по другой, более дорогостоящей технологии.
|