|
 Все новости от 11 февраля 2008 г.
Разработчикам удалось удвоить плотность памяти с изменением фазового состояния
Компании Intel и STMicroelectronics разработали новый тип памяти с изменением фазового состояния, плотность записи которой вдвое больше, чем у предыдущих версий. Это дает толчок развитию новой технологии, способной со временем вытеснить микросхемы флэш-памяти, широко применяемые в портативных устройствах.
Технология пока находится в стадии экспериментов, но компании уже сделали следующий шаг в ее эволюции, предложив производителям устройств опытные образцы микросхем. Сторонники технологии памяти с изменением фазового состояния (phase-change memory - PCM) утверждают, что она надежнее, быстрее и долговечнее традиционной флэш-памяти.
В микросхемах PCM используется стеклоподобный материал, способный в результате перегруппировки атомов менять состояние с аморфного на кристаллическое. Таким образом, логические единицы и нули кодируются фазовым состоянием материала.
В экспериментах Intel и STMicro тот же материал может находиться не в двух состояниях, а в четырех, что позволяет хранить вдвое больше данных. К аморфному и кристаллическому состояниям добавились жидкое и полужидкое.
Intel и STMicro представили свои разработки в среду на Международной конференции по интегральным микросхемам в Сан-Франциско.
Над PCM (или PRAM) работают и многие другие компании, включая IBM, Qimonda, Macronix, Infineon и Samsung.
Технология записи данных с изменением фазового состояния известна с 1960-ых, но до сих пор она не могла конкурировать с другими технологиями памяти по стоимости и энергоемкости. PCM позволяет ускорить чтение и запись информации по сравнению с существующими технологиями флэш-памяти NOR (которая медленно записывает данные) и NAND (которая медленно их считывает).
В 2003 году Intel и STMicroelectronics подписали соглашение о совместной разработке PCM и сейчас создают совместное предприятие Numonyx, которое должно открыться 28 марта. STMicro будут принадлежать 48,6% акций Numonyx, а Intel — 45,1%. В предприятии участвует также инвестиционная компания Francisco Partners.
Пока PCM не будет готова к выводу на рынок, Numonyx будет производить традиционные микросхемы флэш-памяти. Ожидается, что элементы PCM начнут появляться в устройствах, таких как сотовые телефоны, через три года. Менеджер технологических инициатив Intel Слифф Смит уверяет, что со временем они вытеснят элементы памяти DRAM и флэш-памяти NOR и NAND.
Главный технолог Numonyx Эд Доллер демонстрирует пластину с новыми микросхемами памяти
 Предыдущие публикации:
В продолжение темы:
|
