|
 Все новости от 13 марта 2002 г.
Intel удалось невероятно уплотнить SRAM
Применив технологию, которая в будущем году должна быть внедрена в массовое производство, Intel получила экспериментальные образцы микросхем памяти, содержащих 330 млн транзисторов.
Полученные микросхемы SRAM (static RAM) имеют размер около 109 кв. мм и позволяют хранить 52 Мбит данных, что делает их элементами памяти с самой высокой плотностью размещения данных.
Главное же — при создании этих чипов использовался 90-нм технологический процесс, а это доказывает, что Intel продолжает следовать закону Мура. Согласно этому закону число транзисторов, размещаемых в микросхеме, удваивается каждые полтора-два года — в основном благодаря все новым способам уменьшения размеров самих транзисторов.
Сегодня самые быстродействующие чипы изготавливаются по 130-нм технологии, то есть проводники на кристалле имеют ширину около 130 нм. Сжав элементы чипа до 90 нм, Intel сможет наполовину уменьшить размер процессоров или, что более вероятно, ввести в них новые компоненты.
Коммерческое производство 130-нм микросхем началось в середине 2001 года; 90-нм чипы должны поступить в продажу будущим летом. Обычно экспериментальные образцы появляются примерно за год до начала коммерческого производства.
По словам сотрудника Intel Technology Manufacturing Group Марка Бора (Mark Bohr), те же схемотехнические решения, которые используются в экспериментальных чипах SRAM, будут применяться и в кэш-памяти микропроцессоров.
В последние годы размер кэша играет все более важную роль. Один из самых больших кристаллов, будущий серверный процессор Intel McKinley, раскинулся на площади в 464 кв. мм. Однако существенная часть этого чипа занята тремя кэшами, общая емкость которых превышает 3 Мбайт. А его последователь Madison будет содержать 6 Мбайт внутренней памяти.
Бор поведал, что первым микропроцессором Intel, выполненным по 90-нм технологии, станет следующая версия Pentium 4 — Prescott.
Это обеспечит дальнейшее повышение производительности процессоров. В 130-нм чипе длина затвора транзистора составляет 70 нм, а в 90-нм чипе — 50 нм.
«Чем короче затвор, тем быстрее может переключаться транзистор», — пояснил Бор.
 Предыдущие публикации:
В продолжение темы:
|
