|
 Все новости от 12 июля 2001 г.
Intel готовит переворот в области памяти для мобильных устройств
Intel не сомневается, что карманные компьютеры с 500 Мбайт памяти потребителям просто необходимы.
В среду производитель микропроцессоров рассказал о поисках того, что он называет «святым Граалем», — новой технологии, которая позволит упаковать в мобильные устройства сотни мегабайт дешевой памяти. Сейчас емкость запоминающего устройства типичного карманного ПК лежит в диапазоне от 2 до 64 Мбайт.
Память нового поколения должна сочетать высокую плотность с высоким же быстродействием и способностью легко взаимодействовать с элементами памяти других типов. К тому же она должна быть энергонезависимой, т.е. не терять данные при выключении устройства. На сегодняшний день Intel рассматривает три перспективные технологии: «пластиковую» память, или полимерно-ферроэлектрическое ОЗУ (PFRAM); элементы Ovonics Unified Memory (OUM), в которых используются те же материалы, что и в CD rewriteable; и магнитное ОЗУ (MRAM).
Создание новой технологии памяти жизненно важно для мобильной индустрии, которая стремится расширить функциональные возможности мобильных устройств. Кроме того, эти исследования важны для финансовых результатов самой Intel. Из-за экономического спада — особенно из-за снижения спроса на сотовые телефоны — доходы от элементов флэш-памяти серьезно сократились, но все же составляют ощутимую часть бизнеса компании. Нащупав «хит» для следующего витка развития технологии памяти, Intel получит новые источники дохода. «Индустрия давно ищет то, что можно было бы считать „святым Граалем” памяти для мобильных устройств», — сказал журналистам в среду вице-президент Intel по технологии и производству Стивен Лай (Stefan Lai).
Из трех новых технологий, рассматриваемых Intel, наиболее перспективной является, вероятно, OUM — недорогая и легко объединяемая с другими типами памяти. MRAM и PFRAM обещают более высокое быстродействие при чтении/записи, но стоят дороже. «Intel близка к реальному решению проблемы цены и производительности», — считает директор аналитической фирмы The Envisioneering Group Ричард Доэрти (Richard Doherty). По его словам, компания сможет выпустить первые продукты нового поколения на базе технологии OUM уже в конце 2003 года. «За пару лет она станет дешевле флэш-памяти», — сказал он. Но и у PFRAM хорошие шансы на успех, хотя она допускает лишь ограниченное число циклов записи. Intel ведет три исследовательские программы одновременно, изучая все три технологии, но пока не говорит о своих планах в отношении каждой из них.
В OUM используется халькогенид — тот же материал, что и в CD rewriteable. «Это технология, комплиментарная по отношению к SRAM, — поясняет Лай. — Память OUM можно использовать в качестве главной системной памяти, и она не требует специального ПО. Мы считаем ее идеальной для портативных устройств... Возможно, Intel предложит решение, в котором одна интегральная микросхема будет содержать как SRAM, так и OUM».
У MRAM более короткое время цикла чтения/записи — менее 10 нс, и она выдерживает почти неограниченное количество циклов. Однако размер элементов MRAM больше, чем у OUM, что делает эту память в три-четыре раза дороже. «MRAM аналогична SRAM, а OUM — DRAM; первая работает быстрее, но стоит дороже; вторая — медленнее, зато дешевле», — добавил Лай.
Intel изучает и технологию PFRAM, в которой используются полимерные слои, нанесенные на подложку КМОП: стандартный материал для изготовления микросхем. Ожидается, что PFRAM позволит создать элементы памяти высокой плотности, довольно простые в производстве, так что в существующие производственные процессы Intel придется вносить минимум изменений. Все это делает PFRAM относительно недорогой технологией. «Используя PFRAM, мы можем создать память, которая будет в восемь раз дешевле памяти той же емкости на основе обычной технологии КМОП», — утверждает Лай. Но у этой технологии конечное число циклов перезаписи, что, вероятно, ограничит ее применение такими задачами, как хранение программ, для которых сегодня используется ПЗУ.
«Мы работаем над всеми тремя типами памяти, — сказал Лай. — Сейчас это напоминает скачки. Может случиться все что угодно. И нам еще многое предстоит сделать».  В продолжение темы:
|
