Все новости от 10 июня 2003 г.

IBM и Infineon представят магнитную память

Магнитная память произвольного доступа (Magnetic Random Access Memory, MRAM) сочетает технологические принципы магнитной записи, лежащие в основе жестких дисков, с принципами производства микросхем. В MRAM магнитное поле создается внутри ячейки памяти на кристалле. Чтобы определить, что записано в этой ячейке — логическая «1» или «0», компьютер измеряет электрическое сопротивление, создаваемое магнитным полем.

Работа обычной флэш-памяти, оплота хранения данных в сотовых телефонах, тоже основана на изменении уровня электрического сопротивления, но в ней для переключения между логической «1» и «0» требуется большое количество энергии. В идеале MRAM будет потреблять меньше мощности и работать быстрее, чем современная флэш-память.

Хотя IBM уже демонстрировала MRAM, данные, которые будут обнародованы на этой неделе на симпозиуме Very Large Scale Integration (VLSI) в Киото (Япония), показывают, что чипы MRAM можно выпускать серийно, говорит вице-президент IBM Technology по стратегическим альянсам Рэнди Исаак. Чип, описанный в документации, хранит 128 Кбит данных и изготавливается по 180-нм технологическому процессу, который применяется для массового производства с 1999 года. «Его большое достоинство — время записи. Процесс записи у флэш-памяти может занимать миллисекунды. MRAM переносит его в наносекундный диапазон», — говорит Исаак.

На симпозиуме, одном из главных ежегодных мероприятий полупроводниковой индустрии, выступят представители Intel, Advanced Micro Devices и других компаний.

Флэш-память, которая сохраняет данные даже после отключения питания, приближается к кризису среднего возраста. Это необходимый компонент электронных органайзеров, телекоммуникационного оборудования, наиболее компактных МР3-плееров и сотовых телефонов. Однако при дальнейшем сокращении размеров этих чипов производители микросхем сталкиваются с трудностями, что начинает отрицательно влиять на рентабельность их производства. Это заставило их обращаться к таким альтернативам, как Ovonics Unified Memory (память, изготавливаемая из того же материала, что и CD); Silicon Nanocrystals (где твердый слой внутри чипов заменен кристаллической решеткой) и MRAM.

«MRAM — очень многообещающая технология», — говорит аналитик Semico Research Джим Хэнди. Однако он отмечает, что некоторые процессы, используемые при изготовлении MRAM, принципиально отличают их от стандартных кремниевых чипов и неизвестно, будет ли производство по новой технологии рентабельнее, чем по старой.

Критики утверждают, что изменения электрического сопротивления в MRAM слишком слабы. Переход из состояния логической «1» в «0» осуществляется изменением спина электронов на одном из магнитных полюсов. Во флэш-памяти электроны преодолевают стеклянный барьер.

Исаак признает проблему слабых уровней, но говорит, что она решается. Сейчас, по его словам, разница между сопротивлениями в двух устойчивых состояниях составляет 30-40%. «Магнитное поле используется для хранения данных с незапамятных времен, — замечает он. — Мы применяли его еще в начале 60-х и даже в 50-е годы».

IBM намерена выпускать опытные партии, которые производители устройств смогут получить к 2004 году. В принципе массовое производство микросхем MRAM может начаться к 2005 году, но IBM не строит никаких планов, пока не появится спрос на эти чипы.

IBM и Infineon более десяти лет совместно работают над разными проектами в области запоминающих устройств. 

 Предыдущие публикации:

 В продолжение темы:

Обсуждение и комментарии

	Юрий - yvy_kmail.ru 16 Jun 2003 9:46 AM
интересная фраза из статьи: Silicon Nanocrystals (где твердый слой внутри чипов заменен кристаллической решеткой) развее твердый слой не кристаллическая решетка ? и что на чипах есть еще мягкий слой ? Разучились говорить по-русски, так печатайте без перевода