|
 Все новости от 2 июля 2004 г.
Производители микросхем осваивают технологию нанопамяти
Крупный производитель полупроводников подписал соглашение с компанией Nantero об использовании ее технологии производства памяти на базе углеродных нанотрубок — это уже второе лицензионное соглашение молодой нанотехнологической компании.
Генеральный директор Nantero Грег Шмергель не стал называть лицензиата, но сказал, что он будет объявлен в ближайшие недели. По его словам, готовятся и другие сделки. В июне технологию памяти на нанотрубках лицензировала LSI Logic. В идеале LSI использует технологию Nantero в продуктах, которые поступят в продажу в конце текущего года.
«Это (новый лицензиат) очень крупная компания. У нее есть собственное полупроводниковое производство. Переговоры идут и с некоторыми другими, но часть этих сделок анонсироваться не будет», — сказал он.
Nantero предлагает способ изготовления транзисторов из углеродных нанотрубок — трубок из атомов углерода, проявляющих ряд замечательных свойств.
Технология массачусетской компании использует два таких свойства: эластичность/гибкость нанотрубок и притягивание атомов углерода друг к другу под воздействием ван-дер-ваальсовых сил.
В конструкции памяти Nantero ленты из углеродных нанотрубок подвешиваются над подложкой из углерода. В состоянии «выключено» нанотрубки не касаются подложки, и ток не течет. В состоянии «включено» нанотрубка изгибается вниз и притягивается к подложке силами ван-дер-Ваальса. Между лентой и подложкой образуется электрическая цепь, и элемент памяти переходит в состояние логической «1».
Переключение из одного состояния в другое осуществляется посредством приложения к ленте разных потенциалов.
По словам Шмергеля, память Nantero работает быстрее, чем память типа static random access memory (SRAM), которая обычно используется для кэш-памяти процессоров. LSI, как и новый лицензиат-инкогнито, будет применять память Nantero вместо SRAM. Память SRAM производят: Samsung, STMicroelectronics, Hynix, Cypress Semiconductor и другие компании.
К тому же память на нанотрубках энергонезависима, что создает ей преимущество перед обычной компьютерной памятью DRAM, и при этом быстрее многих типов флэш-памяти.
Успех Nantero в сфере лицензирования ее технологии объясняется радикальным сдвигом в архитектуре, произошедшим за последний год. Сначала Nantero предлагала изготавливать элементы памяти, в которых одна нанотрубка вступает в контакт с другой, расположенной перпендикулярно к ней.
Это позволило бы создавать чипы памяти с невероятно высокой плотностью, но большинство специалистов сомневается, что компании удастся найти способ возведения миллионов одинаковых микроскопических перемычек на узкой полоске кремния площадью в несколько квадратных сантиметров. К тому же нанотрубки должны быть почти идентичными (а добиться этого пока никак не удается) и смотреть в одну и ту же сторону.
В новой архитектуре чипов компании слой нанотрубок наносится на подложку. Затем методом обычной литографии на нем «вычерчивают» электрические контакты, соединенные друг с другом толстыми лентами из нанотрубчатого материала и подложки. При этом пространственная ориентация нанотрубок и степень их идентичности не имеют значения. Главное, чтобы ленты проявляли нужные механические свойства.
Главный специалист Nantero Томас Рюйкес выдвинул идею лент несколько лет назад, но патенты на нее были получены лишь недавно, — говорит Шмергель.
Правда, чипы, основанные на конструкции Nantero, получаются довольно крупными, опираются на дорогостоящий процесс производства полупроводников, который сторонники нанотехнологии надеются исключить, и вмещают примерно такой же объем данных, что и обычные микросхемы памяти.
«Тысячекратного повышения плотности мы пока не достигли», — сказал Шмергель.
 Предыдущие публикации:
В продолжение темы:
| 
