Все новости от 20 августа 2004 г.

AMD вводит в свои процессоры напряженный кремний

Напряженный кремний будет использоваться во всех 90-нм процессорах AMD, которые компания только что начала поставлять производителям ПК, а также в новых 130-нм чипах, которые поступят в продажу в этом квартале. В напряженном кремнии расстояние между атомами принудительно увеличено, что позволяет электронам двигаться быстрее.

Компания не раскрывает никаких деталей, но отмечает, что ее технология отличается от технологии IBM и Intel, которые вводят в свои чипы слой кремния с более крупными атомами германия, что приводит к оттягиванию атомов кремния, расположенных выше этого слоя.

На самом деле технологии IBM и Intel различаются между собой. Intel утверждает, что ее вариант напряженного кремния может улучшить прохождение тока на 10-25% в зависимости от типа транзистора.

Как сообщил изданию The Semiconductor Reporter директор AMD по автоматизированной прецизионной производственной технологии Томас Зондерман, AMD использует более локализованный процесс. По словам других представителей компании, в этом процессе обработке подвергаются только определенные участки кристалла. Однако не ясно, обеспечит ли технология AMD тот же уровень повышения производительности, что и у Intel.

Раньше исследователи AMD работали в области введения в микросхемы напряженного кремния с компанией AmberWave, но этот альянс распался.

Напряженный кремний может быть результатом других конструктивных изменений, но представитель AMD сказал, что для достижения состояния напряженности компания намеренно вводит в чипы дополнительные слои.

AMD, Intel и IBM работают еще над одним важным изменением в конструкции чипов: заменой кремния в транзисторных затворах — ключах, управляющих потоком электронов внутри транзистора, — металлом. Ожидается, что процессоры на базе транзисторов с металлическим затвором появятся при внедрении 45-нм технологического процесса, которое произойдет в 2007 году или немного раньше. 

 Предыдущие публикации:

 В продолжение темы:

Обсуждение и комментарии

	AN 20 Aug 2004 1:52 PM
"вводят в свои чипы слой кремния с более крупными атомами германия" Во как !!! Бывают "мелкие", "средние" и "КРУПНЫЕ" атомы германия, что-ли ???!!! А если не только германия ??? Тогда хочу атом золота размером с арбуз !!!
	! 20 Aug 2004 2:38 PM
Имеется ввиду что атомы германия крупнее атомов кремния. А вообще то еще и изотопы бывают.
	Black IBM.* 20 Aug 2004 7:40 PM
"размер" атома не зависит от ВЕСА ядра а только от атомного номера так что изотопы не катят.. и теб более что стабильные изотопы елси они есть равзнв у эелемента не сильно отличаются по массе..(развечто H/D в два раз). поэтому искаженеи электроных оболочен думаю просто невохомоно заметить вот пожетмоу так сложно изотопы разделять..
	Black IBM.* 20 Aug 2004 7:49 PM
хотя вообщето инересная штука.. елси сделать наприеи углеродну трубку НЕООДНОРУДОРНую те кончик с один изотопом ... или наприер переодическу структуру сосоящу из разны изотопов.. можнли или поочить други своейская этого объекта.. другое дело что как зарадние задавать где поставить нужный изотоп.. но сдругйо стороны трубки поулчают из графита.. а его можно засавтить какнибуть упорядочить свои атомы.. ТЕ да с одно сторы да исмение не большое НО иза перодическое стурктыр тежяны /легкий можно полчить каки ли бо инетерсня эфекты... возмжно даже сверхпроводиомсть.. если длина волны рапостраняяему элетроноыв будет синхронизирован с этой простарнсвенной волной расположения разных атомов.... ведь нанао трубки "почти" сверхпроводники.. при комнатной температуре.. другое дело чтоправктическе исопльзоовать это можно будет елси получать толкьо очень длинии трубки как все оптери будут на контактах... но елси их закольцавать????
	Black IBM.* 20 Aug 2004 7:53 PM
только ожно не понял насчт замены кремния металом в затоворе?? а где тогда крмения останеться?? только подолжка..???? вообщем все идет уже почти джезевоскновский элемент :).. только сверпроводимость добавить и пости точ в тоь будет? :).. правда работа его оснвана на квантовых эфектах.. а тут кватовы эфектиы скорее мешают..( добваляют неооднознчности.).. хотя не очень понмаю как можно заменить полупроводник металом???
	Black IBM.* 20 Aug 2004 7:58 PM
ай сорри тормознуя Я ЗАТвор.. а разве он НЕ и металла давно... ведь само название CMOS.. комплиментарый МЕТАЛЛ ОКИСЕЛ полупроводник.. фиг знает.. ну невига не понимаю..
	Black IBM.* 20 Aug 2004 8:04 PM
люди обясните .. цитата>>> Технологически изготовление такого элемента осуществляется созданием тончайшего ( менее 1 мкм ) изолирующего слоя из оксида кремния на поверхности полупроводника, с последующим напылением тонкого слоя металла, который и выступает в роли затвора.>>>> когда от металла для затвора отказались что опять к этому возвращаются???
	Black IBM.* 20 Aug 2004 8:09 PM
о нашел на инете хорошо обясниение.. ..http://www.lingvoda.ru/forum/actualthread.aspx?bid=10&tid= 795 >>>Чтобы быть уж совсем точным, замечу, что затворы (та часть структуры, которая М) до недавнего времени были не металлические, а кремниевые (кремний, правда, сильнолегированный, близкий по свойствам к металлу). Металлические затворы начинают внедряться только сейчас - как раз этим я и занимаюсь. теперь становитсья ясно..
	NoName 21 Aug 2004 2:04 AM
Это все детский лепет. Не пройдёт и 10 лет как это хозяйство (CPU) будет перенесено на кристалл(оптика). Кстати RAM УЖЕ на кристалле реализуема. А на западе пускай пока кремнием балуются :)
	6opucka - workignatov.us 22 Aug 2004 2:20 PM
2Black IBM.: затвор может быть какой угодно (+/-), т. к. он играет роль создателя поля/проводника НАД полупроводниковой зоной DRAIN/SOURCE. Где-то так: _-_ (поперечный срез), где "_" - нога транзистора, а "-" - затвор, который его вкл/выкл. А "тончайший слой" - немножко из другой оперы. Он служит для уменьшения потерь "на землю". Хотя и в нем приколов хватает. Чего стоит, например, появление "инерции" - когда транзистор не сразу меняет состояние после переключения!