Все новости от 30 августа 2004 г.

Intel приглушит мощность, напрягая кремний

Как сообщил старший партнер и директор по архитектуре процессоров и интеграции Intel Марк Бор, в 2005 году при переходе на 65-нм производственный процесс Intel внедрит ряд технологических новинок.

В зависимости от поставленных перед конструкторами задач, чипы, изготовленные по 65-нм технологии, могут быть сделаны более быстродействующими или менее энергоемкими, но Intel особенно напирает на экономию энергии.

Усовершенствованная версия напряженного кремния — который Intel впервые начала применять в 90-нм процессорах — позволит на 30% повысить быстродействие или вчетверо уменьшить ток утечки. «С напряженным кремнием Intel опережает конкурентов по крайней мере на поколение», — сказал Бор. Конкуренты — IBM и Advanced Micro Devices — тоже начали использовать в своих чипах напряженный кремний.

В числе других нововведений 65-нм поколения процессоров транзисторный затвор с укороченным оксидным слоем, толщина которого, тем не менее, останется неизменной. Обычно при переходе на более мелкие транзисторы оксидный слой становится тоньше. При сохранении прежней толщины оксидного слоя емкость затвора уменьшится на 20%, что будет способствовать уменьшению тока утечки.

Кроме того, в чипах, изготавливаемых по новому процессу, будут использоваться специальные транзисторы ожидания, отключающие подачу энергии к блокам других транзисторов. Бор не смог количественно оценить экономию энергии, получаемую от этих транзисторов ожидания, но потенциально они могут внести вклад как в понижение потребляемой мощности в активном режиме, так и в уменьшение тока утечки.

Первые чипы, изготавливаемые по 65-нм процессу, появятся в конце 2005 года — сначала на заводе в Орегоне, а затем в Аризоне и Ирландии. Бор считает, что переход с 90-нм на 65-нм процесс не будет столь болезненным, как переход со 130-нм процесса на 90-нм, при котором технологических изменений было больше.

Тем не менее история показывает, что такие переходы занимают больше времени, чем планировалось. Конструкторы часто ставят повышение производительности превыше экономии энергии. «У них появится множество инструментов для регулирования энергии; посмотрим, как они воспользуются ими», — говорит аналитик Insight 64 Натан Бруквуд.

Ожидается, что со временем цикл перехода на новый производственный процесс увеличится с двух лет до трех. Многие считают, что переход на 45-нм технологию, намеченный на 2007 год, будет особенно трудным, так как производителям придется заменять материалы затвора транзисторов и его изолирующего оксидного слоя. Предполагается, что в 2021 году или около этого срока уменьшение размеров элементов транзисторов в соответствии с законом Мура прекратится.

Бор добавил, что для производства 65-нм чипов Intel будет применять литографическое оборудование с рабочей длиной волны 248 и 193 нм. Новые поколения литографического оборудования выходят на рынок годами, и оно может стоить $15 млн и более, так что частичное использование старого оборудования при производстве новых чипов уменьшает степень риска.

При изготовлении 65-нм чипов Intel сохранит верность технологии «сухой» литографии. Сейчас некоторые производители исследуют возможности иммерсионной литографии, при которой пластины погружаются в воду. Вода помогает сфокусировать лазерный луч, что позволяет вырисовывать более мелкие линии.

В конце десятилетия 193-нм оборудование начнет вытесняться оборудованием на основе жесткого ультрафиолета (EUV) с гораздо меньшей длиной волны.

В 65-нм процессорах Intel не будет использоваться технология «кремний на изоляторе» (SOI) — дополнительный слой, предназначенный для уменьшения тока утечки. Пару лет назад Intel экспериментировала с так называемым «сверхтонким SOI». Теперь компания считает, что экономия энергии, которую может обеспечить эта технология, будет достигнута за счет применения трехзатворных транзисторов — способа трехкратного увеличения площади той области транзистора, сквозь которую пропускаются электроны. 

 Предыдущие публикации:

 В продолжение темы:

Обсуждение и комментарии

	bialix - bialixukrpost.net 31 Aug 2004 1:09 PM
В статье написано: "Предполагается, что в 2001 году или около этого срока уменьшение размеров элементов транзисторов в соответствии с законом Мура прекратится." Интересно, что бы это значило? Если сегодня уже 2004? Наверное, опечатка в статье... А какой тогда правильный год?
	Редакция - orgzdnet.ru 31 Aug 2004 1:31 PM
2021. Извиняемся за опечатку.