|
 Все новости от 28 декабря 2006 г.
Samsung выпустит экономичные 1-Гибт модули DRAM для мобильных устройств
Во втором квартале будущего года Samsung Electronics приступит к массовому производству микросхем памяти DRAM для мобильных устройств емкостью 1 Гбит, которые тоньше и экономичнее современных микросхем памяти.
Микросхемы будут производиться по 80-нм технологическому процессу и предназначены для карманных устройств, цифровых камер, портативных медиаплееров и игр.
Корпуса 1-Гбит чипов изготавливаются по той же технологии, что и для чипов, состоящих из двух стекированных модулей по 512 Мбит, но специальная функция, оптимизирующая цикл автогенерации DRAM, уменьшает потребляемую энергию на 30% по сравнению с современными микросхемами памяти.
Samsung отмечает, что технология, применяемая в этих чипах, может использоваться также в будущих 1,5-Гбит и 2-Гбит элементах памяти DRAM для мобильных устройств.
Новая технология изготовления корпусов позволила Samsung уменьшить габариты микросхем памяти, так что разработчики получили возможность комбинировать DRAM с флэш-памятью в конфигурациях из нескольких микросхем.
 Предыдущие публикации:
В продолжение темы:
|
