Все новости от 26 февраля 2007 г. Samsung ускоряет работу графической памяти
Samsung Electronics применила прогрессивный технологический процесс для достижения рекордного быстродействия микросхем графической памяти.
Один из крупнейших в мире производителей микросхем продемонстрировал элементы графической памяти GDDR4 (Graphics Double Data Rate 4), которые работают со скоростью 4 Гбит/с — на две трети быстрее самых быстродействующих из современных чипов GDDR4, тактовая частота которых составляет 2,4 Гбит/с.
Такого повышения быстродействия удалось добиться благодаря переходу на производство микросхем с технологической нормой 80 нм. Первые элементы памяти Samsung GDDR4 4 Гбит/с будут иметь емкость 512 Мбит. В этом месяце южно-корейская компания начнет выпускать опытные партии микросхем, а позднее в этом году перейдет к их массовому производству.
Предыдущие публикации:
|