Все новости от 24 октября 2007 г.

Samsung удалось удвоить плотность размещения элементов в микросхемах памяти

Крупнейший в мире производитель микросхем памяти продемонстрировал 64-Гбит многоуровневый элемент (MLC) флэш-памяти типа NAND, целиком изготовленный по новой 30-нм производственной технологии. Это достижение, которое Samsung называет Self-Aligned Double Patterning Technology (SaDPT), позволит компании значительно увеличить емкость микросхем флэш-памяти. В заявлении компании говорится, что из 16-ти 64-Гбит чипов, например, можно скомпоновать карту памяти емкостью 128 Гбайт, которой хватит для хранения 80 DVD с кинофильмами или 32 тыс. музыкальных файлов МР3.

Еще важнее то, что Samsung удалось совершить этот технологический прорыв без замены дорогостоящего производственного оборудования. Для нанесения схем на пластины компания применяет существующую аппаратуру фотолитографии, что обеспечит экономию производственных расходов и разумные потребительские цены. Для создания схемы каждого элемента памяти по технологии SaDPT используется двухступенчатое преобразование чертежа. Сначала расширяются промежутки между компонентами схемы, а затем в эти промежутки вписывается другая схема, что приводит к более плотной упаковке элементов.

Samsung подала 30 патентов, относящихся к новым 64-Гбит элементам флэш-памяти, и намерена выпускать по этой же технологии еще и 32-Гбит чипы. Массовое производство 30-нм микросхем планируется освоить в 2009 году. 

 Предыдущие публикации:

 В продолжение темы: