Все новости от 14 февраля 2007 г.

IBM утроит емкость кэш-памяти в будущих чипах

Начиная с чипов, изготавливаемых по 45-нм технологии, которые должны появиться в будущем году, IBM станет применять кэш-память типа DRAM (dynamic RAM), вместо SRAM (static RAM), что позволит втрое увеличить ее емкость. Результаты своих исследований по применению в процессорах памяти DRAM компания планирует представить в среду, на конференции International Solid State Circuits Conference (ISSCC).

В памяти DRAM используются более мелкие транзисторы, с меньшим током утечки. Однако проблема заключалась в том, чтобы соединить память DRAM с технологией «кремний на изоляторе» (SOI). IBM применяет SOI для уменьшения тока утечки транзисторов в таких процессорах, как Power 5, и уже пробовала применять память DRAM в некоторых других чипах, например Blue Gene, но соединить обе технологии до сих пор не удавалось. Именно об этом прорыве и предполагается сообщить на ISSCC.

Первыми продуктами, в которых будут использоваться преимущества встроенной памяти DRAM, станут чипы на базе 45-нм технологического процесса. Их выпуск планируется начать в 2008 году. Компания поместит в эти процессоры от 24 Мбайт до 48 Мбайт кэш-памяти. Для сравнения, у Power 6, который должен появиться в этом году, емкость кэш-памяти составит 8 Мбайт.

IBM проводит совместные исследования и разработки с компанией Advanced Micro Devices, однако AMD отказалась сказать, планирует ли она использовать встроенную технологию DRAM IBM в своих продуктах. Между тем AMD, в рамках партнерства с Innovative Silicon, ведет свои собственные исследования в области технологии повышения плотности кэш-памяти Z-RAM.

Intel тоже объявила о планах ухода от кэш-памяти SRAM в будущих процессорах, но она экспериментирует с другой технологией, называемой floating-body cells. Процессор Intel Montecito Itanium уже содержит 24 Мбайт встроенной кэш-памяти. 

 Предыдущие публикации:

 В продолжение темы:

Обсуждение и комментарии

	Сумчатый кот - murasawamail.ru 15 Feb 2007 1:22 PM
А куда все делись то?
	AlnZ 15 Feb 2007 1:33 PM
Тута мы :) "что должно привести к существенному повышению их производительности." Че то не вериться... Темнят по моему. Согласен что DRAM в десятки раз меньше, чем SRAM. Соответственно и размер памяти типа DRAM будет больше на одном и том же объему. Но делать кеш на динамической памяти, по моему бред. Он же в разы медленне! Задача кеш-памяти прежде всего скорость! Ну придумают они, как уйти от регенерации, выграют 5-10% производительности... Но в любом случае, накопить заряд на кондецаторе всегда будет медленнее, чем переключить транзистор! Такая память кешь будет в разы медленнее. Причем, IMHO, она будет не сильно быстрее оперативки...
	Правктик 15 Feb 2007 2:13 PM
2AlnZ: Даже если эта память и будет не намного быстрее оперативной, доступ к ней будет в РАЗЫ быстрее, поскольку все на одном кристалле сосредоточено.
	AlnZ 15 Feb 2007 9:21 PM
Ну не в разы... Раза в два может и будет, да и то наврядли... За счет чего? Переправить данные по шине в РАЗЫ быстрее, чем дожиться выборки RAS to CAS и RAS# Precharge. С другой стороны, если это место на кристалле использовать для традиционной SRAM, то скорость точно будет в РАЗЫ большу (чем к динамической раме). Для тех, кто думал,что модуль памяти с частотой 533mgz передает данные с этой частотой поясню: память тактируеться данной частотой, наподобе тактовой частоты процессора. Реально, после запроса на чтение, приходиться ждать несколько тактов. Причем, если данные находяться в другой странице памяти (память разбита на строки или страници - RAS и столбцы CAS) то давольно существенно. Так что получаеться, что доступ к динамической памяти иногда в сотни раз медленнее, чем к статической. И какая разница, на этой микросхеме находитсья память или на другой? Все равно приходиться почти все время ожидать, пока схема подготовит данные для передачи! Т.е. "бутылочное горлышко" системы динамической памяти не частота памяти. И не физическое расположение модуля.
	Сумчатый кот - murasawamail.ru 16 Feb 2007 12:13 PM
Может пойдут и поставит .... Ну скажем не последовательную а как в приставках Ассоциативную память? Объёмы незначиельный скоросити зато выше... Да и если посмотртеь на тотже самый камень с верху то место по краям от главной "капли" ещё много... По этому ... может туда на вкатывают.. А если и слить с кристалом то будет я думаю всёже быстрее но.... не так как написано. Враки это...
	AlnZ 16 Feb 2007 1:01 PM
2Сумчатый кот Так ведь кэш и есть ассоциативная память (читай: "Крис Касперски Подсистема Кэш памяти как она есть") Подобное, что ты предложил уже было на слотовых процессорах у интеля. Только кэш это был и статический. IMHO, идея себя изжила, т.к. контроллер кеша все равно находиться на процессоре. А если его вынести оттуда, то тогда получиться как это было на первопнях. Тогда уж лучше не на плате процессора, а на матплате. Так уж можно и кэш наращивать дополнительными планками. Правда, так то-же на первопнях и было... Да, враки это. Сказка про изобретение новой супер-пупер технологии...